2010 m. balandžio 28 d. Bendrovė „Samsung Electronics Co., Ltd.“ pristatė sparčiausią „STORY Station“ serijos išorinį kietąjį diską – „Samsung STORY Station 3.0“ su „SuperSpeed USB 3.0“ sąsaja. Šis 3,5 colio skersmens išorinis kietasis diskas yra 10 kartų spartesnis už ankstesnius diskus su USB 2.0 sąsaja. Tai duomenų saugojimo sprendimas, suteikiantis galimybę sparčiai išsaugoti ir gauti duomenis. „Samsung STORY Station 3.0“ diskus Lietuvoje bus galima įsigyti nuo 2010 m. birželio mėnesio.„Naujasis „Samsung STORY Station 3.0“ skirtas pažangiems naudotojams, kuriems reikalinga didelė duomenų perdavimo sparta ir saugumas“, – teigė „Samsung Electronics“ atminties įrenginių rinkodaros skyriaus viceprezidentas H. S. Lee. Pasak jo, „STORY Station“ naudotojai galės perkelti didelius duomenų kiekius per labai trumpą laiką.
„SuperSpeed USB 3.0“ maksimali duomenų perdavimo sparta yra iki 5 gigabitų per sekundę (Gbps). Tuo tarpu ankstesnės USB 2.0 sąsajos sparta tesiekė 480 megabitų per sekundę (Mbps). 4 MB dydžio muzikos rinkmeną (t. y. maždaug 3 minučių trukmės dainą) arba tokio paties dydžio nuotrauką (6 megapikselių fotoaparato nuotrauką) galima persiųsti per 0,02 sekundes, o (HD) filmo siuntimas užtruks apie 2,3 minutes. Naujoji sąsaja taip pat suderinta su USB 2.0 ir USB 1.1 sąsajomis.
„STORY Station“ gaminių serija tęsia „Samsung“ pasaulinio lygio dizaino tradiciją ir 2009 metais buvo apdovanota „iF“ produktų dizaino kategorijos prizu. Minimalistinį dizainą įkvėpė retro stiliaus, todėl pilko šlifuoto aliuminio korpusas dera su raudonu trafaretiniu logotipu. Korpuso medžiagos atitinka „RoHS“ standartą, o vėdinimo angos prisideda prie tolygaus karščio išsklaidymo, kad būtų užtikrintas veikimo patikimumas. „STORY Station 3.0“ turi net tris energijos taupymo režimus – budėjimo, miego ir sustabdymo. Energijos sąnaudos budėjimo režimu atitinka Europos Sąjungos direktyvą dėl reikalavimų energiją vartojantiems gaminiams.
„STORY Station 3.0“ diskas, kurio duomenų tankis gali būti nuo 1 iki 2 TB, yra augančios STORY gaminių serijos dalis. Šią seriją sudaro platus spektras gaminių – „STORY Station USB 2.0“, „STORY Station Plus“ su e-SATA ir USB 2.0 sąsajomis ir naujausias „STORY Station 3.0“. Iš anksto įkelti programinės įrangos paketai, tokie kaip „Samsung Auto Backup“, SecretZone ir SafetyKey, yra skirti duomenims šifruoti ir jų apsaugai slaptažodžiu užtikrinti.
Taip pat bendrovė „Samsung Electronics Co., Ltd.“ pristatė pirmuosius 20 nanometrų (nm) NAND lustus, skirtus naudoti „Secure Digital“ (SD) tipo atminties kortelėse ir integruotose atmintinėse. Pirmasis 32 gigabitų (Gb) NAND lustas patenkins vis didėjantį atmintinių talpos poreikį, kuris atsiranda dėl populiarėjančių išmaniųjų telefonų, aukštos klasės IT prietaisų ir sparčiųjų atminties kortelių.
„Prabėgus vos vieneriems metams nuo 30 nm klasės NAND gamybos pradžios „Samsung“ pristato naujos kartos 20 nm NAND lustus, kurie yra našesni ir apdoroja didesnį duomenų kiekį,“ – teigė „Samsung Electronics“ atminties skyriaus prezidentas Soo-In Cho. Pasak jo, naujieji 20 nm NAND – tai ne tik reikšmingas žingsnis procesų projektavimo, bet ir technologijų pažangos srityje.
„Samsung“ 20 nm MLC NAND lustų našumas yra 50 proc. didesnis nei 30 nm MLC NAND. Be to, įrašymo sparta į 20 nm lusto (aštuonių gigabaitų (GB) ir didesnio tankio) SD kortelę yra 30 proc. didesnė nei į kortelę turinčią 30 nm NAND lustą. Šios technologijos spartos reitingas yra 10 (20 MB/s nuskaitymo sparta ir 10 MB/s įrašymo sparta). Naudodama šiuolaikinius procesus, dizaino ir valdiklių technologiją, „Samsung“ užtikrina aukštą patikimumo lygį, prilygstantį 30 nm NAND.
Šiuo metu „Samsung“ SD kortelių, pagamintų naudojant 20 nm 32 Gb NAND, pavyzdžius pateikia savo klientams, o jų gamybą planuojama išplėsti dar šiemet. Planuojama, kad atminties kortelių, gaminamų naudojant 20 nm technologiją, talpa sieks nuo 4 GB iki 64 GB.
32 Gb NAND gamybą pagal 30 nm proceso technologiją „Samsung Electronics“ pradėjo dar 2009 metų kovą.
Pranešimas spaudai